CMOS VLSI Design - Lecture 6: Power potx

... dynamic power – Only justified when circuit sleeps long enough CMOS VLSI DesignCMOS VLSI Design 4th Ed.7: Power 2Outline Power and Energy Dynamic Power  Static Power CMOS VLSI DesignCMOS VLSI ... leakage negligible CMOS VLSI DesignCMOS VLSI Design 4th Ed.7: Power 22Solution( )( )( )( )( )( )( )( )( ) ( )( )tttttt66normal-V66 6high-Vnormal-V high-Vnormal-V high-V50 10 12 ... according to workload Lecture 6: Power CMOS VLSI DesignCMOS VLSI Design 4th Ed.7: Power 20Static Power  Static power is consumed even when chip is quiescent.– Leakage draws power from nominally...

CMOS VLSI Design - Lecture 3: CMOS Transistor Theory potx

... SaturationVgVsVdVgdVgsVds+ - + - + - CMOS VLSI DesignCMOS VLSI Design 4th Ed.3: CMOS Transistor Theory 6nMOS Cutoff No channel Ids≈ 0+ - Vgs = 0n+ n++ - Vgdp-type bodybgsd CMOS VLSI DesignCMOS VLSI ... µp= 2 -5 -4 -3 -2 -1 0 -0 .8 -0 .6 -0 .4 -0 .20Ids(mA)Vgs = -5 Vgs = -4 Vgs = -3 Vgs = -2 Vgs = -1 Vds CMOS VLSI DesignCMOS VLSI Design 4th Ed.3: CMOS Transistor Theory 17Capacitance ... Vtn+ n++ - Vgd = Vgs+ - Vgs > Vtn+ n++ - Vgs > Vgd > VtVds = 00 < Vds < Vgs-Vtp-type bodyp-type bodybgsdbgsdIds CMOS VLSI DesignCMOS VLSI Design...

CMOS VLSI Design - Lecture 1: Introduction ppt

... 1sdgsdsdsdnMOSpMOSOFFONONOFF CMOS VLSI Design 4th Ed.0: Introduction 120VDDA YGND CMOS InverterA Y0 11 0A YOFFON 1ONOFF CMOS VLSI Design 4th Ed.0: Introduction 13 CMOS NAND GateA B Y0 ... OFFONOFF10ON ON OFFOFF00ABY CMOS VLSI Design 4th Ed.0: Introduction 14 CMOS NOR GateA B Y0 0 10 1 01 0 01 1 0ABY CMOS VLSI Design 4th Ed.0: Introduction 153-input NAND Gate Y pulls ... substrateSiO2Photoresist CMOS VLSI Design 4th Ed.0: Introduction 25Lithography Expose photoresist through n-well mask Strip off exposed photoresistp substrateSiO2Photoresist CMOS VLSI Design 4th...

CMOS VLSI Design - Lecture 2: Circuits & Layout docx

... pMOS pull-up network– a.k.a. static CMOS pMOSpull-upnetworkoutputinputsnMOSpull-downnetworkPull-up OFF Pull-up ONPull-down OFF Z (float) 1Pull-down ON 0 X (crowbar) CMOS VLSI Design ... 13 CMOS Gate Design  Activity:– Sketch a 4-input CMOS NOR gateABCDY CMOS VLSI Design 4th Ed.1: Circuits & Layout 14Complementary CMOS  Complementary CMOS logic gates– nMOS pull-down ... CMOS VLSI Design 4th Ed.1: Circuits & Layout 10And Now… CMOS VLSI Design 4th Ed.1: Circuits & Layout 11Feature Size Minimum feature size shrinking 30% every 2-3 years CMOS VLSI...

CMOS VLSI Design - Lecture 4: Nonideal Transistor Theory pdf

... ox2q2qAANtNCεγεε= = CMOS VLSI DesignCMOS VLSI Design 4th Ed.4: Nonideal Transistor Theory 16Body Effect Cont. For small source-to-body voltage, treat as linear CMOS VLSI DesignCMOS VLSI Design 4th ... [Song01] CMOS VLSI DesignCMOS VLSI Design 4th Ed.4: Nonideal Transistor Theory 23Junction Leakage Reverse-biased p-n junctions have some leakage– Ordinary diode leakage– Band-to-band tunneling ... (BTBT)– Gate-induced drain leakage (GIDL)n welln+n+ n+p+p+p+p substrate CMOS VLSI DesignCMOS VLSI Design 4th Ed.4: Nonideal Transistor Theory 24Diode Leakage Reverse-biased p-n junctions...

32
1,524
0

CMOS VLSI Design - Lecture 5: DC & Transient Response doc

... = 6RC CMOS VLSI DesignCMOS VLSI Design 4th Ed.5: DC and Transient Response 28Delay Model Comparison CMOS VLSI DesignCMOS VLSI Design 4th Ed.5: DC and Transient Response 29Example: 3-input ... as long as you are consistent CMOS VLSI DesignCMOS VLSI Design 4th Ed.5: DC and Transient Response 27Inverter Delay Estimate Estimate the delay of a fanout-of-1 inverterCCR2C2CR21AYC2CC2CC2CRY21d ... RangeLogical LowOutput Range CMOS VLSI DesignCMOS VLSI Design 4th Ed.5: DC and Transient Response 17VDDVinVoutVOHVDDVOLVILVIHVtnUnity Gain PointsSlope = -1 VDD - |Vtp|βp/βn...

Tài liệu Solutions for CMOS VLSI Design 4th Edition (Odd). ppt

... 500 - (50 + 65) = 385 ps; (b) tpd = 500 - 2(40) = 420 ps; (c) tpd = 500 - 40 = 460 ps.10.3 (a) tcd = 30 - 35 = 0; (b) tcd = 30 - 35 = 0; (c) tcd = 30 - 35 - 60 = 0; (d) tcd = 30 - ... + 5) VDD = 0.73 VDD.9.35 H = 500 / 30 = 16.7. Consider a two stage design: footless dynamic OR-OR-AND-INVERT + HI-skew INV. G = 2/3 * 5/6 = 10/18. P = 5/3 + 5/6 = 5/2. F = GBH = 9.3. f ... param='(tdqf+tdqr)/2'.end10.15tpd = 500 - 2(40) = 420 ps.10.17tpd = 500 ps. Skew-tolerant domino with no latches has no sequencing overhead.10.19tborrow = 125 ps - 50 ps - thold = 75 ps - thold.10.21 ###...

39
1,171
5

Lecture 6 Quantum mechanical spin potx

... outline1Stern-Gerlach and the discovery of spin2Spinors, spin operators, and Pauli matrices3Spin precession in a magnetic ﬁeld4Paramagnetic resonance and NMRBackground: expectations pre-Stern-GerlachPreviously, ... of additional oscillating resonant in-plane magnetic ﬁeldB1(t) for a time, t, such thatω1t =π2,ω1= γB1(“π/2 pulse”) orients majority spin in xy-plane where it precesses atresonant ... momentum known as spin,ˆS.For fermions, spin is half-integer while, for bosons, it is integer.Wavefunction of electron expressed as a two-component spinor,|ψ =d3x (ψ+(x)|x ⊗ | ↑ +...

vlsi design course lecture notes ch6

... 1016 -1 018cm -3 less highly doped regions generally labeled n/p (without the +)PP++ - group Velementionelectronn-type DonorfreecarrierBB++ - group IIIelementholep-type ... VGS-VtnECE 410, Prof. A. Mason Lecture Notes 6.18nMOS Current vs.Voltage• Saturation Region (Active Region)–VGS> Vtn, VDS> VGS-Vtn• surface potential at drain, φsd= VGS-Vtn-VDS•when ... pMOS with following modifications–physical• change all n-tpye regions to p-type• change all p-type regions to n-type– substrate is n-type (nWell)• channel charge is positive (holes) and (+)ve...

31
1,580
0

vlsi design course lecture notes ch12

... delay for n-input R-C addertn= td(a0,b0⇒ c1) + (n-2) td(cin⇒ cout) + td(cin⇒ sn-1)first stage delay: inputs to carry-outmiddle stage (n-2) delay: carry-in to carry-outlast ... 410, Prof. A. Mason Lecture Notes 12.11Ripple-Carry Adders in CMOS • Simple to implement and connect for multi-bit addition– but, they are very slow• Worse-case delays in R-C Adders– each bit ... 2 – mEx: 3-bit signed numbers3 = 0 1 12+3 = 5 = 2- (-3 )=> 1 0 1 = -3 Signed Multiplication: Booth Encoding0 1 1 0 1 (0)1 0 -1 1 -1 -1 : a sequence of “ 1 0”0: no change in sequence1:...

Xem thêm

Từ khóa: low power vlsi design ppt pdf low power vlsi design ppt low power vlsi design techniques pdf low power vlsi design techniques the current state low power vlsi design pdf practical low power digital vlsi design pdf Nghiên cứu sự biến đổi một số cytokin ở bệnh nhân xơ cứng bì hệ thống Nghiên cứu sự hình thành lớp bảo vệ và khả năng chống ăn mòn của thép bền thời tiết trong điều kiện khí hậu nhiệt đới việt nam Nghiên cứu tổ chức pha chế, đánh giá chất lượng thuốc tiêm truyền trong điều kiện dã ngoại đề thi thử THPTQG 2019 toán THPT chuyên thái bình lần 2 có lời giải Giáo án Sinh học 11 bài 13: Thực hành phát hiện diệp lục và carôtenôit Giáo án Sinh học 11 bài 13: Thực hành phát hiện diệp lục và carôtenôit ĐỒ ÁN NGHIÊN CỨU CÔNG NGHỆ KẾT NỐI VÔ TUYẾN CỰ LY XA, CÔNG SUẤT THẤP LPWAN Phát triển mạng lưới kinh doanh nước sạch tại công ty TNHH một thành viên kinh doanh nước sạch quảng ninh Phát hiện xâm nhập dựa trên thuật toán k means Nghiên cứu, xây dựng phần mềm smartscan và ứng dụng trong bảo vệ mạng máy tính chuyên dùng Thơ nôm tứ tuyệt trào phúng hồ xuân hương Tăng trưởng tín dụng hộ sản xuất nông nghiệp tại Ngân hàng Nông nghiệp và Phát triển nông thôn Việt Nam chi nhánh tỉnh Bắc Giang (Luận văn thạc sĩ)Giáo án Sinh học 11 bài 15: Tiêu hóa ở động vật Nguyên tắc phân hóa trách nhiệm hình sự đối với người dưới 18 tuổi phạm tội trong pháp luật hình sự Việt Nam (Luận văn thạc sĩ)Giáo án Sinh học 11 bài 14: Thực hành phát hiện hô hấp ở thực vật Giáo án Sinh học 11 bài 14: Thực hành phát hiện hô hấp ở thực vật Giáo án Sinh học 11 bài 14: Thực hành phát hiện hô hấp ở thực vật Trách nhiệm của người sử dụng lao động đối với lao động nữ theo pháp luật lao động Việt Nam từ thực tiễn các khu công nghiệp tại thành phố Hồ Chí Minh (Luận văn thạc sĩ)MÔN TRUYỀN THÔNG MARKETING TÍCH HỢP TÁI CHẾ NHỰA VÀ QUẢN LÝ CHẤT THẢI Ở HOA KỲ